FQPF10N60C.MOSFET 600V 9.5A 0.73Ohm Автор записи:Transistor Запись опубликована:16.09.2022 Рубрика записи:Mosfet transistors 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 44 nC)• Low Crss ( typical 18 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability Вам также может понравиться 2SK3767.Field effect transistor 600V 2A.Datasheet 13.08.2022 Transistor FNK30H150.MOSFET 150A 30V.Datasheet 27.12.2023 IRFS640A.MOSFET 200V 9.8A.Datasheet 16.08.2022