FQPF10N60C.MOSFET 600V 9.5A 0.73Ohm Автор записи:Transistor Запись опубликована:16.09.2022 Рубрика записи:Mosfet transistors 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 44 nC)• Low Crss ( typical 18 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability Вам также может понравиться FDFS2P102A.P-Channel MOSFET and Schottky Diode.Datasheet 08.06.2022 FQPF4N90C.MOSFET 900V 4A.Datasheet 31.08.2022 AO4480 mosfet (4480 chip).Datasheet 17.10.2023